下一代集成电路二维材料大尺寸生长装备


项目提出吸附反应外延(ARE)这一全新的二维材料生长机理,实现零热应力、大面积、原子层级精确控制的薄膜生长。研发工艺装备,用于大面积、高性能二维半导体材料和超薄高介电材料制备,支撑下一代集成电路在新赛道研发,助力我国芯片制造领域摆脱技术封锁。

  • 提出在不同温度分别实现吸附、反应和晶化的生长机理,解决单层/少层二维材料生长过程厚度不可控问题

  • 研发8英寸ARE设备,采用红外快速加热退火设计实现了精准控温

  • 当前已开发样机,实现原理验证。



吸附反应外延设备样机