10月10日，国家第三代半导体技术创新中心主任张鲁川带队调研京津冀国家技术创新中心（简称“京津冀中心”），双方围绕半导体领域颠覆性技术创新合作开展深入研讨。京津冀中心主任王茤祥出席活动。

王茤祥对张鲁川一行到访表示欢迎。他表示，当前京津冀中心按照中央部署，组织全国颠覆性技术创新，抢先机、开赛道、占高地，加速将颠覆性技术选出来、干出来、用起来。国家第三代半导体技术创新中心作为领域类国家技术创新中心，在半导体领域具有丰富的创新资源和产业资源。希望双方探索建立有效合作机制，围绕新一代半导体赛道重点布局，加强前沿性、颠覆性项目联动，合力打通产业链的痛点和堵点，加速推动颠覆性项目转化。积极参与前沿技术大讲堂、全国颠覆性技术创新大赛等颠覆性技术创新品牌活动，联合打造颠覆性技术创新生态体系，发展新质生产力，引领高质量发展。

张鲁川对京津冀中心在技术研发、产业培育、人才培养等方面取得的成绩给予高度评价。他表示，国家第三代半导体技术创新中心由中国电子科技集团有限公司与各相关省市政府联合推动建设，聚焦第三代半导体材料、装备、器件、模组、应用等方面重点布局，引领行业全面高质量发展。希望深度学习京津冀中心在组织颠覆性技术创新工作中的先进经验，并依托综合类国创中心的创新资源，围绕颠覆性技术创新、关键技术联合攻关、应用转化等方面，加强跨领域的项目合作，加速推动宽禁带和超宽禁带半导体赛道持续创新和多元化赋能，助力实现高水平科技自立自强。

会前，张鲁川一行参观了中心科技成果展厅，听取了中心全球化协同创新体系建设、技术研发、产业培育、人才培养及组织颠覆性创新、京津冀协同创新等情况介绍，参观了部分代表性成果。

国家第三代半导体技术创新中心综合管理处处长高爽、项目管理处处长颜秀文、行业研究处处长张志国，京津冀中心助理主任侯婷、光电技术研究所副所长张博等参加座谈。