平台建设
打造“专业—产业”耦合的京津冀协同创新共同体，北京本部按照“专业”维度建设研究平台，组建高精尖的工程技术团队，着力研发原始技术和培育新兴产业。天津、河北按照“产业”维度建设创新平台，以本部专业力量为支撑，多学科协同攻关全产业链关键技术和实施产业化，促进产业升级。
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平台建设
打造“专业—产业”耦合的京津冀协同创新共同体，北京本部按照“专业”维度建设研究平台，组建高精尖的工程技术团队，着力研发原始技术和培育新兴产业。天津、河北按照“产业”维度建设创新平台，以本部专业力量为支撑，多学科协同攻关全产业链关键技术和实施产业化，促进产业升级。
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人才队伍
中心按照专兼结合的方式，围绕创新链组织人才链，形成学术合伙人引领方向、自建工程技术团队关键支撑、联合工程技术团队有机协同的综合性科研团队
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科研成果
中心以从科学到技术转化为核心功能，以重大基础研究成果产业化、发展原始创新为核心使命，从高校及国家实验室的基础研究成果中遴选出有产业化潜力的核心技术，以大规模生产和大范围应用为目标，定制化设计发展模式、精准化配置团队及资源，加速研发和产业化。
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人才培养
中心与全球一流大学联合实施“创新菁英计划”，采取“双课堂、双导师、双身份、双考核”模式，专业化培养创新创业研究生，形成在创新中培养人才、在人才培养中再创新的复合效应。
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产业发展
中心通过技术入股新组建创业企业，或者将技术注入已有企业等形式培育新兴产业，将科技势能转化为经济动能。
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招贤纳士
京津冀国家技术创新中心面向海内外诚聘英才，并提供良好的工作条件、优厚的薪酬待遇和有力的支撑保障。我们热诚期待各方优秀人才的加入,携手各个领域放眼未来、共创辉煌。 简历投递：hr@jingjinji.cn
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首页 / 科研成果 / 集成电路与芯片

面向芯片先进制程的选择性原子层沉积工艺与装备


本项目的技术原理是选择原子层沉积，在一次光刻定义的细微图案化结构上，通过一步选择性沉积工艺路线实现对准生长，将生长限定在特定化区域，即在生长区沉积薄膜，在非生长区无沉积。颠覆芯片制程中反复沉积-光刻-刻蚀多步骤，研发了选择性原子层沉积工艺与装备，对提升我国高端芯片市场竞争力具有重要意义。本项目应用于8英寸先进制程芯片的制造工艺。

  • 选择性原子层沉积原理和动力学规律

  • 外场协同选择性沉积原理与装备，实现自对准精度小于1nm，TSV沉积选择比大于10:1，台阶覆盖率>90%



选择性原子层沉积原理



选择性沉积工程样机设计研发与选择性沉积工艺芯片应用



以设备为载体，发展三种选择性沉积工艺